臺積電10納米量產(chǎn)時(shí)程領(lǐng)先英特爾之際，持續(xù)乘勝追擊。臺積電共同執(zhí)行長劉德音昨(3)日首次揭露，臺積電7納米將于2017年第2季試產(chǎn)，并向供應(yīng)鏈喊話共同合作，全力投入5納米研發(fā)，向挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體霸主地位邁進(jìn)。

劉德音昨天是在主持臺積電供應(yīng)鏈管理論壇時(shí)，向到場的逾600名來自全球的設(shè)備及材料供應(yīng)商揭露臺積電先進(jìn)制程最新藍(lán)圖。法人認(rèn)為，臺積電先進(jìn)制程演進(jìn)速度快，漢微科等高階設(shè)備廠，將扮演重要的助攻角色。

臺積電截至目前已量產(chǎn)的16納米，進(jìn)度都落后英特爾，在下一世代的10納米，臺積電首度超車，將在明年初開始試產(chǎn)，明年下半年開始量產(chǎn)，比英特爾2017年量產(chǎn)的時(shí)間快至少六個(gè)月。

在昨天之前，臺積電均未透露7納米確切的試產(chǎn)時(shí)間，更從未提及5納米。劉德音昨天首度披露臺積電7納米將于2017年第2季試產(chǎn)，并已投入5納米研發(fā)。

業(yè)界認(rèn)為，此舉象征臺積電“就是要比對手快”，未來蘋果、輝達(dá)等大客戶要在最快的時(shí)間內(nèi)使用最新的制程，“一定要找臺積電”。臺積電藉此可持續(xù)拓展高階制程市占，提升獲利能力。

劉德音說，臺積電已成功以7納米制程產(chǎn)出靜態(tài)存取記憶體(SRAM)，打臉先前自稱以10納米產(chǎn)出SRAM的三星。他強(qiáng)調(diào)，7納米預(yù)定2017年第2季完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape out)，和10納米制程只差五季。

依此時(shí)程推算，臺積電明年初就會(huì)啟動(dòng)10納米試產(chǎn)，因此從今年第4季起密集采購10納米生產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備，以利明年第1季啟動(dòng)10納米試產(chǎn)。

至于明年挹注營收的主力制程16納米，劉德音強(qiáng)調(diào)，到今年底共有27個(gè)產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，預(yù)估到明年底將達(dá)到100個(gè)，有助臺積電提升市占率;臺積電今年在全球晶圓代工市占率將達(dá)到54%，持續(xù)獨(dú)霸全球。

臺積電先前下修今年資本支出到80億美元，稍早劉德音接受外電專訪時(shí)透露，明年資本支出將超過今年，設(shè)備商推估將逾百億美元，甚至達(dá)120億美元，創(chuàng)歷史新高，凸顯臺積電投入7納米先進(jìn)制程研發(fā)、增加16納米產(chǎn)能、布建10納米試產(chǎn)線，明年幾乎三路并進(jìn)，卯足全勁，要超越英特爾。