英特爾公司目前正在全力推動全閃存數(shù)據(jù)中心的轉(zhuǎn)型車輪，并希望利用3D NAND與XPoint芯片外加SSD的銷量彌補自身在處理器業(yè)務(wù)營收方面的低迷態(tài)勢。

下面來看英特爾公司NVM(即非易失性存儲)解決方案總經(jīng)理Jerry Xu在本月3號在深圳華為存儲峰會之上發(fā)布的一份演示材料。

根據(jù)圖片可以看到，目前數(shù)據(jù)中心所采取的存儲與內(nèi)存架構(gòu)當(dāng)中已經(jīng)包含有SSD元素。這份材料非常直觀，我們可以看到其中DRAM(即內(nèi)存)負責(zé)承載熱門數(shù)據(jù)，PCIe NAND SSD面向訪問頻度一般的數(shù)據(jù)，而冷門數(shù)據(jù)則被存儲在成本低廉但速度表現(xiàn)最差的SATA磁盤驅(qū)動器當(dāng)中。也有些人將這種機制稱為閃存與垃圾桶存儲結(jié)構(gòu)。

不過另有一類存儲層專門面向訪問頻度更低的數(shù)據(jù)內(nèi)容(例如歸檔數(shù)據(jù))，即使用SATA磁盤驅(qū)動器或者更為古老的磁帶存儲介質(zhì)。

從圖中可以看到，DRAM的傳輸帶寬約為每秒10 GB，而延遲水平則在100 納秒上下。PCIe SSD的傳輸帶寬約為每秒3.2 GB，延遲水平在100微秒上下，遠遠不及DRAM。

而性能更糟的SATA磁盤只具備每秒6 Gb的傳輸能力，相當(dāng)于每秒540 MB(相比起來實在是太慢了)，而且延遲水平高達近50毫秒;與PCIe NAND相比簡直有云泥之別。

在對NVMe PCIe SSD、3D NAND以及未來即將面世的3D XPoint進行了一番宣傳與歌頌之后，Jerry Xu又展示了一份未來存儲架構(gòu)材料，其體現(xiàn)的是以全固態(tài)存儲為核心的下一代數(shù)據(jù)中心體系--除了歸檔方面還保留有其它介質(zhì)選項：

未來的數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)仍然為三層金字塔布局，分別為熱門、一般與冷門層，不過其中的四大數(shù)據(jù)層全部向上移動，因此DRAM超出了金字塔塔尖部分--其傳輸帶寬與延遲水平仍然與過去保持一致。在其之下，情況出現(xiàn)了變化，總體來講各數(shù)據(jù)層在速度表現(xiàn)上盡皆有所提升。

熱門數(shù)據(jù)將首先由3D XPoint DIMM負責(zé)承載，其延遲水平在納秒級別--具體為250納秒左右，而傳輸帶寬則為每秒6 GB。訪問頻度稍低的數(shù)據(jù)則由NVMe 3D XPoint SSD來存儲，其延遲水平略遜、一般在10微秒左右，但仍然只相當(dāng)于當(dāng)前存儲與內(nèi)存架構(gòu)演示圖中PCIe SSD的十分之一。而且需要強調(diào)的是，XPoint DIMM的物理尺寸更為小巧而且存儲容量更為可觀。

而普通數(shù)據(jù)則立足于NVMe 3D NAND SSD。這類存儲方案采用雙PCIe 3.0連接，其傳輸帶寬約在每秒3.2 GB，且延遲水平為100微秒左右?？梢钥吹?，這樣的性能表現(xiàn)與目前的普通數(shù)據(jù)規(guī)劃基本相當(dāng)，不過相信3D NAND應(yīng)該能夠在提供遠低于目前2D或者說平面閃存方案的每GB存儲成本的同時提供更高的存儲容量。

冷門數(shù)據(jù)層則與熱門數(shù)據(jù)一樣被拆分為兩塊。其一由NVMe 3D NAND SSD承載，在其之下的則是面向普通客戶的SATA或者SAS磁盤驅(qū)動器--如果他們不打算為了存儲歸檔數(shù)據(jù)而支付閃存溢價的話。SATA磁盤驅(qū)動器的傳輸帶寬為每秒6 Gb，而一塊磁盤由離線狀態(tài)到上線運轉(zhuǎn)大概需要耗費數(shù)分鐘。

未來的全閃存數(shù)據(jù)中心內(nèi)將不再使用任何磁帶存儲介質(zhì)

英特爾方面在演示材料中針對每個數(shù)據(jù)層給出了具體使用案例，其中低成本歸檔適用于冷門數(shù)據(jù)層。而在普通數(shù)據(jù)層當(dāng)中，我們看到了大數(shù)據(jù)分析--一種主動-主動對象存儲機制--Swift、Lambeth、HDFS以及Ceph等負載類型。具體而言，我們將利用3D NAND SSD來承載大數(shù)據(jù)與對象存儲，當(dāng)然有些朋友可能會認為這種作法太過奢侈。

而熱門數(shù)據(jù)用例則包括服務(wù)器端以及/或全閃存陣列、業(yè)務(wù)處理、高性能以及內(nèi)存內(nèi)處理、分析、科學(xué)研究、云服務(wù)、Web、搜索以及圖像處理等負載。

評論意見

Xu正在努力尋求與華為公司開展合作的機會;他對于這一思路相當(dāng)看好，而且在我們看來英特爾方面希望利用閃存取代現(xiàn)有磁盤、從而在服務(wù)器以及存儲陣列市場上掀起波瀾，并最終將SATA磁盤驅(qū)動器的立足之地擠壓至實現(xiàn)成本最低的深度歸檔領(lǐng)域。

如果英特爾方面給出的上述解讀真能變?yōu)楝F(xiàn)實，那么其一方面需要擁有充足的3D NAND、3D XPoint芯片以及SSD產(chǎn)品供應(yīng)能力，另外還需要生產(chǎn)出大量XPoint DIMM。這可能正好解釋了芯片巨頭為何最近單獨對位于中國的芯片代工生產(chǎn)線進行了規(guī)模擴張。

隨著服務(wù)器處理器市場的逐步飽和以及PC市場幾乎不可逆轉(zhuǎn)的持續(xù)萎縮，再加上平板市場的低迷表現(xiàn)，英特爾公司這位目前在服務(wù)器/PC、筆記本處理器業(yè)務(wù)領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位的巨頭必須得找到足以提振營收的途徑，至少保證自身整體營收不再下滑。

而通過發(fā)售3D NAND以及3D XPoint芯片與組件，英特爾公司將能夠創(chuàng)造出新的存儲級內(nèi)存市場，并憑借NAND產(chǎn)品在業(yè)務(wù)體系中的強勢表現(xiàn)恢復(fù)自身營收增長。對于英特爾公司來講，全固態(tài)存儲數(shù)據(jù)中心也因此成為一種必需--而非單純的市場營銷口號。